本文標題:半導體覆層中石墨顆粒密度太低
信息分類:行業動態 新聞來源：未知 發布時間：2018-2-27 23:17:37
半導體覆層中石墨顆粒密度太低
形成一個局部熱區：升高的溫度借助氧化過程進一步增加電阻
值，使得部分交疊部位變得不再具導電性，此時在半導體覆層末端
的高電場強度作用下將發生PD，在空氣冷卻電機中還會產生臭氧。
臭氧(或者不如說是硝酸)將侵襲毗連的覆層，最后交疊部位電阻變
成無窮大，也就開始強烈放電。交疊部位最初存在高阻現象的原因
如下：
1)半導體覆層中石墨顆粒密度太低。
2)碳化硅覆層中的碳化硅顆粒密度或者顆粒大小分布不當。
3)交疊部位的表面積不夠，不足以讓電容電流流過。
主絕緣承受的電場強度較高時，應在設計上給予特殊重視，那
些“薄壁”主絕緣的設計將使更多的電容電流流過碳化硅覆層，因
此也更易于產生快速的老化。
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